由于碳化硅陶瓷的各種優良性能，因此人們非常認可碳化硅陶瓷，所以對碳化硅陶瓷的開發和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法。

  (1)熱壓碳化硅陶瓷

  雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。

  (2)常壓碳化硅陶瓷

  常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。

  (3)反應碳化硅陶瓷

  反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。